【CIE云讲堂】|0526|中科院苏州纳米所孙钱：硅基GaN功率电子材料与器件

[视频作者] 中国电子学会

[视频时长] 19:21

[视频类型] 科学科普

报告题目：硅基GaN功率电子材料与器件 报告摘要：第三代半导体氮化镓（GaN）具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高等特点，特别适合制备高压、高频、高温功率电子器件，在消费类电子快充、激光雷达、大数据中心等电源管理系统有着广泛而重要的应用前景。在大尺寸、低成本硅衬底上外延生长制备GaN基高效功率电子器件有望大幅降低制造成本，是目前国内外学术界与产业界的主流技术路线之一。本报告将首先介绍在硅衬底上外延生长高质量GaN材料的关键科学问题与技术解决方案，然后重点讨论硅基GaN纵向功率二极管与增强型HEMT横