【集成电路制造工艺】离子注入

离子注入（一种掺杂形式）是集成电路制造中不可或缺的一环。随着芯片设计的日益复杂，所需的离子注入工序亦相应增加。当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。 业内常见的四类注入系统。其中的三类属于视线离子束流系统：高电流（用于低能量和/或高剂量应用）；中电流（用于较低剂量）；高能量（用于非常深的注入）。第四类系统利用等离子掺杂，用于要求极高剂量的应用，或对无法通过视线束线系统到达的区域进行共形掺杂（例如，三维鳍式场效晶体管中的侧壁掺杂）。 集成电路制造工艺离子注入技术 集成电路离子注入机 集成电路加大离子注入 集成电路离子注入机上市公司 集成电路离子注入机价格 离子注入机在集成电路里的地位 集成电路制造工艺中离子注入用途 集成电路离子注入机验证时间 集成电路掺杂和离子注入区别 集成电路离子注入机几纳米 【集成电路制造工艺】离子注入